Download file (320KB)
Download as zip (300KB)

コレクション

引用

代替タイトル: Investigation on Ti-doped locations that promote Nb3Sn layer formation

説明:

TiはNb3Snの高磁場特性を向上させる添加元素として広く知られている。内部スズ法Nb3Sn線材では、Ti添加場所としてSn芯、Nb芯、Cuマトリクスの３通りが考えられる。前回、Sn芯およびCuマトリクスへのTi添加を主に調査し、CuにTiを添加することで、SnおよびTi拡散が促進することを報告した。TiをSn芯に添加した場合に形成されるTi化合物層の抑制が主な要因と考えられる。今回、Nb芯にTiを添加する新しい方法を検討し、実際に試作・評価した結果を報告する。TiをNb側に添加することで、Ti化合物の形成はほぼ抑制され、Nb3Sn層へのTi拡散が進み、特に高磁場特性の大きな改善効果が見られた。

権利情報:

• In Copyright
  

キーワード: Nb3Sn, Ti, diffusion

会議: 2024年度秋季低温工学・超電導学会研究発表会 (2024-11-25 - 2024-11-27)

研究助成金:

原稿種別: 論文以外のデータ

MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5184

公開URL:

関連資料:

その他の識別子:

連絡先:

更新時刻: 2024-12-19 16:30:39 +0900

MDRでの公開時刻: 2024-12-19 16:30:40 +0900