間野 高明
(電子・光機能材料研究センター/光学材料分野/半導体エピタキシャル構造グループ, 物質・材料研究機構)
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大竹 晃浩
(電子・光機能材料研究センター/光学材料分野/半導体エピタキシャル構造グループ, 物質・材料研究機構)
コレクション
引用
説明:
(abstract)量子ドット作製技術についての章の中で、NIMSで主に取り組んできた液滴エピタキシー法の技術開発のこれまでの取り組みについて解説した。格子整合系GaAs量子ドット・量子リングの形成から、最近取り組んでいる通信波長帯で発光する格子不整合系InAs量子ドットの形成まで、作製法のエッセンスについて記載している。
権利情報:
キーワード: 液滴エピタキシー, GaAs, InAs, 量子ドット, 量子光源
刊行年月日: [2025年9月]
出版者: (株)エヌ・ティー・エス
掲載誌:
- 量⼦ドット技術の最前線
研究助成金:
- 防衛装備庁 JPJ004596 (安全保障技術研究推進制度)
原稿種別: 著者最終稿 (Accepted manuscript)
MDR DOI: https://doi.org/10.48505/nims.5812
公開URL: https://www.nts-book.co.jp/item/detail/summary/buturi/20250900_244.html
関連資料:
その他の識別子:
連絡先:
更新時刻: 2025-10-21 16:06:39 +0900
MDRでの公開時刻: 2025-10-21 15:43:37 +0900