# 水素終端ダイヤモンド/六方晶窒化ホウ素ヘテロ構造を用いた高移動度トランジスタ

https://mdr.nims.go.jp/datasets/1c5c74b2-103d-413d-a987-e53da78c68b8

## File

- [NEWDIAMOND2026年4月号_NIMS笹間陽介.pdf](https://mdr.nims.go.jp/filesets/70c4dd56-1bf5-49d9-a3b0-86aea61d18c6/download) ([Detail](https://mdr.nims.go.jp/filesets/70c4dd56-1bf5-49d9-a3b0-86aea61d18c6.md))

## Id

1c5c74b2-103d-413d-a987-e53da78c68b8

## Local identifier



## Visibility

open_to_public

## State

published

## Created at

2026-08-05T11:22:49.547383Z

## Updated at

2026-08-17T01:14:15.625900Z

## Published at

2026-08-17T03:29:10.981812Z

## Doi

https://doi.org/10.48505/nims.6448

## First published url

https://jndf.org/katsudo/kaishi/backnumber/kaishi-161.html

## Date published

2026-04-25

## Recorded date published



## Resource type

journal_article

## Manuscript type

accepted_manuscript

## Collection



## Title

- title: 水素終端ダイヤモンド/六方晶窒化ホウ素ヘテロ構造を用いた高移動度トランジスタ
  title_type: original
  lang: ja
- title: High-Mobility Transistor Based on a Hydrogen-Terminated Diamond/h-BN Heterostructure
  title_type: alternative
  lang: en

## Description

- description: ダイヤモンドは、他の主要なワイドギャップ半導体にはない高い正孔移動度という際立った特徴を有する。その高い正孔移動度は、pチャネルの高移動度電界効果トランジスタ(FET)の作製に有利である。しかし、これまでに報告されてきたpチャネルのダイヤモンドFETの正孔移動度の多くは、バルクのダイヤモンドの値よりも1桁以上低く、ダイヤモンド本来の高い正孔移動度が活かされていなかった。我々は、高品質な水素終端ダイヤモンド/六方晶窒化ホウ素(h-BN)ヘテロ構造を利用することによって、室温において1000
    cm^2/(Vs)に達する高い正孔移動度を得ることに成功した。我々の研究は、水素終端ダイヤモンドがFET材料として高いポテンシャルを有していることを示している。
  description_type: abstract
  lang: jpn

## Creator

- name: 笹間 陽介
  role: author
  orcid: https://orcid.org/0000-0002-8358-6101
  organization: 物質・材料研究機構
  department: 電子・光機能材料研究センター/機能材料分野/超ワイドギャップ半導体グループ
- name: 山口 尚秀
  role: author
  orcid: https://orcid.org/0000-0003-0208-7317
  organization: 物質・材料研究機構
  department: ナノアーキテクトニクス材料研究センター/量子材料分野/表面量子相物質グループ

## Contact agent



## Publisher

organization: 一般社団法人　ニューダイヤモンドフォーラム

## Managing organization



## Keyword

- subject: ダイヤモンド
  schema: not_defined
- subject: 電界効果トランジスタ
  schema: not_defined

## Rights

- identifier: http://rightsstatements.org/vocab/InC/1.0/

## Other identifier(s)



## Data origin

- data_origin_type: other

## Embargo



## Journal

- title: NEW DIAMOND
  issn: '13404792'
  volume: '42'
  issue: '2'

## Conference



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## Instrument



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## Instrument managing organization



## Measurement method



## Specimen



## Chemical composition



## Structure for specimen



## Structural feature for specimen



## Specific property for specimen



## Process for specimen treatment



## Computational method



## Energy level/transition state



## Software



## Custom property



## Fileset

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