Born近似、一般化振動子強度、誘電関数をキーパラメータとして、電子の非弾性散乱断面積について解説する。ボルン近似により、原子における電子の非弾性散乱断面積は振動子強度分布を用いて表すことができる。一方、誘電応答理論では、固体試料の非弾性散乱断面積を極小角散乱領域（すなわち...

近年、高分子分野においても、マテリアルズ・インフォマティクスへの関心が高まっている。一方で、高分子の多様性を反映して、系統的なデータの少なさや、データの統合が困難なことが問題になっている。ここでは、世界的な高分子データベースを俯瞰した上でのPoLyInfoの位置づけ、インフ...

Sulfonation of PPSU is accomplished by aromatic nucleophilic substitution reactions, introducing a sulfonyl group into the electron-rich ...

我々は適用できるエネルギー範囲が広く，幅広い材料に対して適用できる改良型IMFP予測式(Jablonski-Tanuma-Powell (JTP)式)を開発した。この式はTPP-2M式を改良したもので、50eVから200keVまでの電子ネルギー範囲における100物質に対する...

固体中における電子の阻止能(SP)は，非弾性散乱を記述する基本的なパラメータの一つであり，表面電子分光法において電子輸送をシミュレートする場合に不可欠な物理量である．また，放射線計量における基本的物理量でもある。SPの値は10keV以上ではいわゆる相対論的Betheの式が一...

「表面分析」は様々な捉え方が出来るが，ここでは実用的な「表面の化学分析」とする。産業界においては，表面分析は1980年代から現在にいたるまで材料評価の大きな部分を担っており，故障解析には不可欠のツールである。表面電子分光法を中心として，物作りを支える表面分析技術の現状とその...

We have calculated IMFPs for 41 elemental solids and 30 semiconductors at equal energy intervals on a logarithmic scale corresponding to ...