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Description/Abstract:: InP/GaInAsP多層膜を用いて，AES深さ方向分析における深さ分解能の試料温度依存性について検討を行なった．試料温度は，０〜５０℃（１０℃間隔）およびー１２０，−２０℃の８条件としてデプスプロファイルを取得した．スパッタリング条件は，イオン種：Ar，イオン加速電圧：1...
Keyword:: InP/GaInAsP多層膜, Auger Depth Profiling Analysis, Depth Resolution, and Sample Temperature
Material/Specimen:: InP/GaInAsP Multilayer Film
Resource Type:: Article
Author:: Ogiwara, Toshiya and Tanuma, Shigeo
Journal:: Journal of Surface Analysis
Date Uploaded:: 28/05/2021
Date Modified:: 28/05/2021

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