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Description/Abstract:: ホウ素ドープダイヤモンド金属-酸化膜-半導体電界効果トランジスタ（MOSFET）を平坦なダイヤモンドエピタキシャル層上に作製した。500℃のアニール前後の電気特性からトランジスタ動作を確認した。ドレイン電流と相互コンダクタンスの最大値は、これまでに報告されたホウ素ドープダイ...
Keyword:: Boron-doped diamond
Resource Type:: Article
Author:: 劉江偉, 寺地徳之, 達博, and 小出康夫
Journal:: NEW DIAMOND 誌
Date Uploaded:: 29/11/2024

Description/Abstract:: High-performance boron-doped diamond (B-diamond) metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are fabricated. Drain curre...
Keyword:: Boron-doped diamond
Resource Type:: Article
Author:: J. W. Liu, T. Teraji, B. Da, and Y. Koide
Journal:: Applied Physics Letters
Date Uploaded:: 15/11/2024

Description/Abstract:: In this work, we focus on resolving one of great issues of high threshold voltage (VTH) values for the boron-doped diamond (B-diamond) m...
Keyword:: Boron-doped diamond
Resource Type:: Article
Author:: Jiangwei Liu, Tokuyuki Teraji, Bo Da, and Yasuo Koide
Journal:: IEEE Transactions on Electron Devices
Date Uploaded:: 19/03/2024

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