AES深さ方向分析の標準化を進めるために，InP/GaInAs多層膜を用いたデプスプロファイル測定のラウンドロビン試験を行った．参加した２３機関の装置は３社に分類され，その仕様が異なるため，測定条件は電子線およびイオンの加速電圧を3kVに固定して，その他の条件は各機関に一任...

試料冷却法を併用したAES深さ方向分析によるSiO2/Si熱酸化膜の分析について検討を行った．分析時の試料保持温度を常温および-190℃として，それぞれの温度について電子線電流密度を３段階に変えてデプスプロファイルを取得した．イオン加速電圧は3kVである．また，測定したオー...

There are two types of creep constitutive equation, one with a steady-state term (steady-state type) and the other with no steady-state t...

Evaluating the creep deformation process of heat-resistant steels is important for improving the energy efficiency of power plants by inc...

Discovery of new compounds from wide chemical space is attractive for materials researchers. However, theoretical prediction and validati...

半球型電子分光器を搭載したオージェ電子分光装置では，傾斜ホルダーを用いると装置のジオ メトリー特性との関係からイオン及び一次電子の入射角の自由度が大きくなる.特に試料回転の 回転軸が一次電子の入射方向と一致する場合は，傾斜ホルダーの回転角によってイオン入射角を 設定でき，電...

磁気ヘッド材料として用いられているFeNi:5 nm/CoFeB:3 nm/FeNi:10 nm多層薄膜の深さ方向組成分布を調べるために，極低角度入射イオンビームを用いたオージェ深さ方向分析によりイオン加速電圧0.5 kVおよび3.0 kVのスパッタ条件で分析を行った．その...

各種化合物半導体の表面をArイオンでスパッタリングして，その表面のSEM観察を行なった．そして，イオンスパッタリング時の試料温度および試料回転の有無と表面形状の関係を系統的に調べた．その結果，表面あれはスパッタリングされた表面全体に生成する場合とコーン状の突起物がランダムに...

InP/GaInAsP多層膜を用いて，AES深さ方向分析における深さ分解能の試料温度依存性について検討を行なった．試料温度は，０〜５０℃（１０℃間隔）およびー１２０，−２０℃の８条件としてデプスプロファイルを取得した．スパッタリング条件は，イオン種：Ar，イオン加速電圧：1...

We have investigated the Auger depth profiling analysis of HfO2/Si by the glancing-angle ion beam sputtering method at an incident angle ...