Born近似、一般化振動子強度、誘電関数をキーパラメータとして、電子の非弾性散乱断面積について解説する。ボルン近似により、原子における電子の非弾性散乱断面積は振動子強度分布を用いて表すことができる。一方、誘電応答理論では、固体試料の非弾性散乱断面積を極小角散乱領域（すなわち...

AESによる表面定量分析において重要な電子の背面散乱について検討した．電子の背面散乱係数の入射角度依存性，およびそのエネルギーの平均値および中央値について，モンテカルロ(MC)法を用いてBe, B, C, Al, Si, Cu, Zr, Ag, La, Auの10種類の元素...

Wordにおける数式入力において、論文誌指定のLaTeX形式のフォントに変更する方法、また記述をUniCode形式にすることでのメリットを紹介する。さらに数式の引用時に便利なMathpix snipソフトウェアの紹介と、その利用方法、Wordとの連携について紹介した。

実用表面電子分光法において，電子の非弾性散乱は固体中における電子輸送に関連するので，その理解は大変に重要である。そこで，すでに出版した「表面電子分光法における信号の減衰は如何に記述されるか？」I, II, IIIに続いて，実際的な電子の非弾性散乱の理解および計算に必要となる...

The four physical parameters describing inelastic scattering of electrons, which is a measure of surface sensitivity, were described. The...